CMP 공정소개

CMP 개요
cmp 의미
  • 1980년대 말 미국 IBM 에서 개발
  • 1996년부터 국내 반도체 제조 업체에서 공정 적용
  • CMP공정에서의 중요한 요소로서는 ‘C(Chemical)’ 에 해당하는 슬러리와 ‘M(Mechanical)’에 해당되는 속도, 압력이 있다.
  • 슬러리의 농도에 따라서 연마의 품질이 달라지며, 패드의 회전 속도 및 헤드의 압력에 따라서 연마의 정도가 달라진다
  • CMP공정은 반도체의 다른 공정에 비해 상당한 정확성을 요하며, 그 때문에 CMP장비에 사용되는 부품은 더욱 정밀한 제품이 사용되어야 한다.
CMP 필요성
반도체는 집적회로라고 불리듯이 미세회로를 차곡차곡 쌓아 올리는 것이 기술이며 품질의 핵심이다. CMP는 웨이퍼의 표면을 평평하게 하여 다음 이어질 공정 (특히 노광공정) 이 제대로 작동할 수 있는 회로를 차곡차곡 쌓아 올려지게 만들어 주는 역할을 한다.
cmp 필요성
CMP 분류
목적별 분류 공정별 분류 설 명 기능별 분류
소자분리 STI CMP
(Shallow Trench Isolation) 		각 소자간 분리(Isolation)을 위한 CMP로서 가장 정밀한
평탄도 조절이 필요함. 일반적으로 평탄도 특성을 향상
시키기 위하여 Stopper Material을 사용함 		Oxide CMP
막질평탄화 ILD CMP (Inter Layer Dielectric) 소자영역과 금속배선간 절연막 평탄화
Full ILD CMP
IMD CMP (Inter Metal Dielectric) 금속배선층간 절연막 평탄화
금속배선 Poly CMP B/L 또는 Cell Contact Pad Poly CMP Poly CMP
Plug (Cnt, Via) CMP 소자/배선간 또는 금속층간 배선 Metal CMP
Damascene CMP 금속배선 형성
Buffing Gate Buffing CMP Gate Roughness 개선 Poly CMP
Buffing CMP Defect 개선 Oxide/Metal CMP
화살표
CMP 품질을 결정짓는 중요 요소
CMP 품질을 결정짓는 중요 요소
CMP 장비의 구동
  • pic
  • pic
CMP 장비 세계 주요 MAKER
  • aapliedmaterials
  • ebara
  • kctech